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          薄膜半导体材料制备系统

          • 磁控溅射仪
          磁控溅射仪

          磁控溅射仪


          磁控溅射仪

          衬底尺寸:4'为主,6'兼容。

          溅射金属膜厚均匀性要求:≤±5%

          靶位:4个。

          极限压力:<6.6×10-6e Pa

          靶材尺寸:3英寸。

          可溅射磁性材料。

          靶与样品距离可调,且可以在30度角度内摆头。

          配置load-lock,可放置56英寸样品,在高真空状态下,由电动马达分别传送每片样品,顺序溅射每片样品,逐一完成5片溅射镀膜。

          样品台可加热至750度,可旋转。

          全自动真空度控制模块。

          气路:ArO2N2

          射频电源:2个,每个600W

          直流电源:2个,每个1000W


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