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          薄膜半导体材料制备系统

          • 超高真空磁控溅射系统
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          超高真空磁控溅射系统超高真空磁控溅射系统

          超高真空磁控溅射系统

          超高真空磁控溅射系统(UHV SPUTTER)
          仪器介绍:
          美国专业的制造商PVD公司是一家在磁控溅射沉积,电子束蒸发沉积,脉冲激光沉积等领域有着20年制造经验。
          我司代理的PVD公司生产的磁控溅射系统可以实现在最大300mm衬底上沉积金属和电介质薄膜。使用RF、DC或脉冲DC电源的磁控溅射源可以单个模式或者联合-沉积模式工作,以便生产可以对满足广泛的薄膜要求。我司生产的钛磁控溅射源的尺寸可从1 inch(25mmm)到8inch(200mm)任选 ,并搭配内置倾斜装置以满足按照沉积工艺进行的微调。衬底支架符合最大300mm直径的晶片需求,并可对晶片加热至850°C及加载RF偏压。磁控溅射系统可按客户需求增减其他窗口用于诸如残余气体分析(RGA)、反射高能电子衍射(RHEED)或椭偏仪(ellipsometry)。


          技术参数:
          Vacuum Chamber: 304不锈钢圆柱形腔体,满足不同客户的定制需求。
          Pumping: 分子泵或冷凝泵,机械泵真空系统
          Load Lock: 手动传片或自动传片,适合各种形状尺寸的小片到300mm大的圆片,高真空背景传递
          Process Control: PC / PLC自动控制界面,菜单控制,数据获取和远程控制
          In-Situ Monitoring & Control: QCM膜厚监控,光学膜厚监控,RGA残余气体分析
          Substrate Fixture: 单片,多片,星状衬底夹具
          Substrate Holders: 可加热,冷却,偏压,旋转
          Ion Source: 衬底预清洗,纳米表面改性
          Deposition Techniques
          Magnetron Sputtering  RF, DC, or Pulsed-DC;具有射频溅射,直流溅射,脉冲直流溅射。
          Glancing Angle Depostion (GLAD)Cathodic Arc Plasma Deposition   倾斜角度溅射。
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