<ins id="ddbhx"></ins>
      <ol id="ddbhx"><sub id="ddbhx"><p id="ddbhx"></p></sub></ol><ol id="ddbhx"><sub id="ddbhx"><p id="ddbhx"></p></sub></ol>

          语言选择: 中文版 ∷  英文版

          薄膜半导体材料制备系统

          • 快速退火炉
          快速退火炉

          快速退火炉

          产品简介:


               REAL RTP100型快速退火炉是韩国ULTECH公司的一款4寸片快速退火炉,采用革新的加热技术,可实现真正的基底温度测量,不需要采用传统快速退火炉的温度补偿,温度控制精确,温度重复性高,客户包括国际上许多半导体公司及知名科研团队,是半导体制程退火工艺的理想选择。

           

          n 技术特色:

           

          真正的基片温度测量,无需传统的温度补偿

          红外卤素管灯加热

          极其优异的加热温度精确性与均匀性

          快速数字PID温度控制

          不锈钢冷壁真空腔室

          系统稳定性好

          结构紧凑,小型桌面系统

          带触摸屏的PC控制

          兼容常压和真空环境,真空度标准值为5×10-3Torr,采用二级分子泵真空度低至5×10-6Torr

          最高3路气体(MFC控制)

          没有交叉污染,没有金属污染

           

          n 技术介绍:

           

                 如上图,由阵列式卤素灯辐射出热量经过石英窗口到达样品表面,样品被加热,传统的快速退火炉采用热电偶进行测量基片温度,由于热电偶与基片有一定距离,测量的不是基片真实的温度,必须进行温度补偿。

               REAL RTP100型快速退火炉采用专用的一根片状的Real T/C KIT进行测温,如上图,热电偶测温仪与片状Real T/C KIT相连,工作时片状Real T/C KIT位于样品上方很近的位置,阵列式卤素灯辐射出热量经过石英窗口到达样品表面,样品被加热,片状Real T/C KIT同时被加热,由于基片与Real T/C KIT很近,它们之间也会进行热量传递,并很快达到热平衡,所以片状Real T/C KIT测量的温度就无限接近基片真实的温度,从而实现基片温度的真实测量。

           

          n 主要技术参数:

           

          基片尺寸:4英寸

          基片基座:石英针(可选配SiC涂层石墨)

          温度范围:150-1250℃

          加热速率:10-200℃/S

          温度均匀性:≤±1.5% (@800℃, Silicon wafer)

           ≤±1.0% (@800℃, Substrate on SiC coated graphite susceptor)

          温度控制精度:≤ ±3℃

          温度重复性:≤ ±3℃

          真空度:5.0E-3 Torr / 5.0E-6 Torr

          气路供应:标准1N2吹扫及冷却气路,由MFC控制(最多可选3路)

          退火持续时间:≥35min@1250℃

          温度控制:快速数字PID控制

          尺寸:870mm*650mm*620mm

           

          n基片类型:

           

          Silicon wafers硅片

          Compound semiconductor wafers化合物半导体基片

          GaN/Sapphire wafers for LEDs 用于LEDGaN/蓝宝石基片

          Silicon carbide wafers碳化硅基片

          Poly silicon wafers for solar cells用于太阳能电池的多晶硅基片

          Glass substrates玻璃基片

          Metals金属

          Polymers聚合物

          - Graphite and silicon carbide susceptors石墨和镀碳化硅的石墨基座

          n应用领域:

              离子注入/接触退火,快速热处理(RTP),快速退火(RTA),快速热氧化(RTO),快速热氮化(RTN),可在真空、惰性气氛、氧气、氢气、混合气等不同环境下使用,SiAu, SiAl, SiMo合金化,低介电材料,晶体化,致密化,太阳能电池片键合等。



          神彩争霸8在线登录